Компания Penguin Solutions анонсировала модули оперативной памяти SMART Modular DDR5 MRDIMM, спроектированные специально для дата-центров под задачи ИИ. Представленные решения поддерживают скорость передачи данных до 12 800 МТ/с. Модули доступны в вариантах ёмкостью 32, 64, 96 и 128 Гбайт. Напряжение питания составляет 1,1 В, высота изделий — 31,25 мм. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Среди ключевых сфер применения названы ресурсоёмкие ИИ-приложения, в том числе инференс, и HPC.

Подчеркивается, что память SMART Modular DDR5-12800 MRDIMM проходит строгое тестирование по фирменной методике Zefr. Этот процесс проверки имитирует жёсткие режимы эксплуатации в реальной среде. Он помогает выявлять и устранять потенциальные проблемы с синхронизацией и целостностью электрических сигналов, что гарантирует стабильную производительность и сохранность данных, необходимые для критически важной инфраструктуры ИИ, говорит компания. Утверждается, что отсев дефектных компонентов на этапе скрининга Zefr позволяет устранить более 90 % потенциальных сбоев, связанных с надёжностью памяти в реальных условиях эксплуатации.

Источник изображения: Penguin Solutions

Реализованы улучшенные механизмы тепловой и электрической защиты. Кроме того, применяются компоненты ASR (Anti-Sulfur Resistors) для минимизации вредного воздействия серы. Это вещество широко используется во многих отраслях промышленности. Однако когда серебряные сплавы в DRAM-чипах подвергаются воздействию сернистых газов, происходит коррозионная реакция, что приводит к снижению проводимости и быстрому выходу изделий из строя. Специальное покрытие позволяет решить данную проблему.

Компания SMART Modular Technologies объявила о начале пробных поставок улучшенных энергонезависимых модулей памяти CXL (Non-Volatile CXL Memory Module, NV-CMM), соответствующих стандарту CXL 2.0. Изделия ориентированы на применение в дата-центрах, которые поддерживают такие нагрузки, как резидентные базы данных, аналитика в реальном времени и приложения НРС.

Новинка (NV-CMM-E3S) объединяет память DDR4-3200 DRAM, флеш-память NAND и источник резервного питания в форм-факторе E3.S 2T (EDSFF). Задействован интерфейс PCIe 5.0 x8. Применяются контроллеры на базе ASIC и FPGA.

Устройство NV-CMM имеет ёмкость 32 Гбайт, а максимальная пропускная способность заявлена на уровне 32 Гбайт/с. Поддерживается шифрование информации по алгоритму AES-256. Интегрированный источник аварийного питания обеспечивает сохранность критически важных данных при непредвиденных отключениях электроэнергии, что повышает надёжность и доступность системы в целом. В случае сбоя в центральной сети энергоснабжения производится копирование данных из DRAM в NAND, а после восстановления подачи энергии выполняется обратный процесс. Изделие обеспечивает более быструю перезагрузку виртуальных машин и сокращает время простоя в облачных инфраструктурах.

Источник изображения: SMART Modular Technologies

Устройство имеет размеры 112,75 × 15 × 76 мм. Эксплуатироваться модуль может при температурах окружающей среды до +40 °C. Отмечается, что внедрение NV-CMM на основе стандарта CXL знаменует собой важную веху в удовлетворении растущих потребностей платформ ИИ, машинного обучения и аналитики больших данных.